КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ АФН ЭФФЕКТА
Keywords:
Это способствует возникновению аномального фотонапряжения величиной порядка ~10000В/см.Abstract
При испарении материала на подложку под углом образуется множество р-п и п-р- переходов на расстоянии различной глубины от поверхности слоя. По причине асимметричного освещения этих переходов, фотонапряжения (U<k/q) в них взаимно не компенсируется.
References
1. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М.: Физматтиз, 1963. С 494. (16)
2. Мирзамахмудов Т.М. Юпқа яримўтказгич қатламлар олиш ва улардаги баъзи бир фотоэлектрик ходисалар. Тошкент “ФАН” нашриёти 1996. 124 Б. (20)
3. Под ред. Адировича Э.И. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника. Ташкент: ФАН, 1982. С. 143-229. (17)
4. Равич Ю. И. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение. М.: Л, 1959.С 262 .(21)
5. Рахимов Н.Р., Серьёзнов А.Н. АФН-пленки и их применение. -Новосибирск, 2005.-65с.(19)
6. Адирович Э.И., Мастов Э.М.и др. //Аномально полупроводниковых пленках. Фотоэлектрические явления большие фотоэлектрический и фотомагнитный эффекты в полупроводниках и оптоэлектроника. Ташкент. ФАН, 2012. С 143-229.(18)
7. Фотоэлектрические модули и элементы order @ solarhome.ru.(с интернета) (22)
